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IR 推出增強型25V 及30V MOSFET

2013/10/30 |  1833次閱讀 | 關鍵詞:IR

IR 推出增強型25V 及30V MOSFET
 

IR 推出增強型25V 及30V MOSFET
適用于負載點同步降壓轉換器應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商 &ndash 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能,適用于消費和網絡領域的計算應用。


新 MOSFET 系列采用了 IR 經過驗證的硅技術,可提供基準通態電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負載條件下,低轉換損耗也有助于實現高效率。

IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:"這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝,可比SO-8封裝提供更高的功率密度,同時保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過 '二合一' 交換來減少元件數目,滿足不同應用的要求。"

單雙 N 通道 MOSFET 現已開始供應。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外,單個 N通道器件也可在高量產時實現優化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝,而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) ,可以不含鹵素。


產品的基本規格如下:


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技術方案
狂野之鹰投注
單個 N 通道
器件編號 Bvdss
(V)
封裝 在10Vgs下的
最大RDS(on)(m&Omega)
在4.5Vgs下的
最大RDS(on)
(m&Omega)
在TC=25°C下的Id(A) 在TA=25°C下的Id(A) 典型 Qg (nC)
IRL(R,U)8256(TR)PBF 25 D-Pak/I-PAK 5.7 8.5 81 N/A 10
IRL(R,U)8259(TR)PBF 25 D-Pak/I-PAK 8.7 12.9 57 N/A 6.8
IRF8252(TR)PBF 25 SO-8 2.7 3.7 N/A 25 35
IRL(R,U)8743(TR)PBF 30 D-Pak/I-PAK 3.1 3.9 160 N/A 39
IRL(R,U)8726(TR)PBF 30 D-Pak/I-PAK 5.8 8.0 86 N/A 15
IRL(R,U)8721(TR)PBF 30 D-Pak/I-PAK 8.4 11.8 65 N/A 8.5
IRL(R,U)8729(TR)PBF 30 D-Pak/I-PAK 8.9 11.9 58 N/A 10
IRFH3702(TR,TR2)PBF 30 PQFN 3 x 3 7.1 11.8 N/A 16 9.6
IRFH3707(TR,TR2)PBF 30 PQFN 3 x 3 12.4 17.9 N/A 12 5.4
IRFH7932(TR,TR2)PBF 30 PQFN 5 x 6 3.3 3.9 N/A 24 34
IRFH7934(TR,TR2)PBF 30 PQFN 5 x 6 3.5 5.1 N/A 24 20
IRFH7936(TR,TR2)PBF 30 PQFN 5 x 6 4.8 6.8 N/A 20 17
IRFH7921(TR,TR2)PBF 30 PQFN 5 x 6 8.5 12.5 N/A 15 9.3
IRFH7914(TR,TR2)PBF 30 PQFN 5 x 6 8.7 13 N/A 15 8.3
IRF8788(TR)PBF 30 SO-8 2.8 3.8 N/A 24 44
IRF7862(TR)PBF 30 SO-8